Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук
Лаборатория полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
О нас
Контакты
Почему мы?
Наличие полного цикла по изготовлению полупроводниковых лазеров – от эпитаксиального роста гетероструктур до готовых приборов Гибкость производственного процесса – возможность разработки и изготовления диодных лазеров с требуемыми параметрами
Мощность и надежность – 40-летний опыт разработки и изготовления полупроводниковых лазеров. Широкий спектр применения – идеальны для атмосферных лидаров, накачки волоконных и твердотельных лазеров, оптических систем мониторинга и медицинских приложений, таких как хирургия, флебология и фотодинамическая терапия
Технологичность – подходят для применения в телекоммуникациях, метрологии и радиофотонных системах для генерации, передачи и преобразования электромагнитного СВЧ излучения. Интеграция лазерных диодов с электрическими платами накачки. Изготовление приборов накачки и термостабилизации лазеров
Оборудование
Установка роста гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100 Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
Фотолитография
Химическое и плазмохимическое травление (установка “ALCATEL”)
Напыление диэлектрических покрытий
Напыление омических контактов
Установки монтажа и корпусирования лазерных диодов Характеризация и тестирование лазерных диодов Деградационные стенды Комплекс стендов для юстировки и монтажа печатных плат, микрооптики и оптических волокон в корпуса лазеров
О КОМПАНИИ
Мы специализируемся на производстве мощных полупроводниковых лазеров, способных излучать в диапазоне длин волн от 850 до 2000 нм. Наше мелкосерийное производство базируется на ООО "Эльфолюм", где мы используем передовые технологии и инновационные подходы для создания лазеров высокого качества и надежности.
ООО Эльфолюм
Виды изготавливаемых полупроводниковых лазеров
1
Одномодовые Фабри-Перо лазеры
Диапазон длин волн – 1000 – 2000 нм Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 200 мВт
Диапазон длин волн – 850 – 2000 нм Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 5 Вт Импульсная излучаемая рабочая мощность до 1000 Вт при τ=100 нс до 10 Вт при τ=100 пс