Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Российской академии наук
Российской академии наук
Лаборатория полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Почему мы?
Наличие полного цикла по изготовлению полупроводниковых лазеров – от эпитаксиального роста гетероструктур до готовых приборов
Гибкость производственного процесса – возможность разработки и изготовления диодных лазеров с требуемыми параметрами
Гибкость производственного процесса – возможность разработки и изготовления диодных лазеров с требуемыми параметрами
Мощность и надежность – 40-летний опыт разработки и изготовления полупроводниковых лазеров.
Широкий спектр применения – идеальны для атмосферных лидаров, накачки волоконных и твердотельных лазеров, оптических систем мониторинга и медицинских приложений, таких как хирургия, флебология и фотодинамическая терапия
Широкий спектр применения – идеальны для атмосферных лидаров, накачки волоконных и твердотельных лазеров, оптических систем мониторинга и медицинских приложений, таких как хирургия, флебология и фотодинамическая терапия
Технологичность – подходят для применения в телекоммуникациях, метрологии и радиофотонных системах для генерации, передачи и преобразования электромагнитного СВЧ излучения.
Интеграция лазерных диодов с электрическими платами накачки. Изготовление приборов накачки и термостабилизации лазеров
Интеграция лазерных диодов с электрическими платами накачки. Изготовление приборов накачки и термостабилизации лазеров
Научная деятельность
Физико-технологические принципы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур для мощных источников лазерного излучения с использованием технологии селективной эпитаксии
Информация о результатах исследований, перечне научных статей и участии в конференциях доступны по кнопке ниже
Информация о результатах исследований, перечне научных статей и участии в конференциях доступны по кнопке ниже
| Посмотреть достижения |
Мы объединяем людей и технологии для обеспечения качества на каждом этапе исследований и производства
Оборудование
Установка роста гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100
Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
Характеризация и тестирование лазерных диодов
Деградационные стенды
Комплекс стендов для юстировки и монтажа печатных плат, микрооптики и оптических волокон в корпуса лазеров
Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
- Фотолитография
- Химическое и плазмохимическое травление (установка “ALCATEL”)
- Напыление диэлектрических покрытий
- Напыление омических контактов
Характеризация и тестирование лазерных диодов
Деградационные стенды
Комплекс стендов для юстировки и монтажа печатных плат, микрооптики и оптических волокон в корпуса лазеров
О КОМПАНИИ
Мы специализируемся на производстве мощных полупроводниковых лазеров, способных излучать в диапазоне длин волн от 850 до 2000 нм.
Наше мелкосерийное производство базируется на ООО "Эльфолюм", где мы используем передовые технологии и инновационные подходы для создания лазеров высокого качества и надежности.
Наше мелкосерийное производство базируется на ООО "Эльфолюм", где мы используем передовые технологии и инновационные подходы для создания лазеров высокого качества и надежности.
| ООО Эльфолюм |
Виды изготавливаемых полупроводниковых лазеров
1
Одномодовые Фабри-Перо лазеры
Диапазон длин волн – 1000 – 2000 нм
Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 200 мВт
Типы корпусов: ТО-18 (Диаметр 5,6 мм), SOT-148 (Диаметр 9 мм), открытый теплоотвод.
Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 200 мВт
Типы корпусов: ТО-18 (Диаметр 5,6 мм), SOT-148 (Диаметр 9 мм), открытый теплоотвод.
2
Многомодовые Фабри-Перо лазеры
Диапазон длин волн – 850 – 2000 нм
Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 5 Вт
Импульсная излучаемая рабочая мощность
до 1000 Вт при τ=100 нс
до 10 Вт при τ=100 пс
Типы корпусов: HHL, ТО-3, открытый теплоотвод
Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 5 Вт
Импульсная излучаемая рабочая мощность
до 1000 Вт при τ=100 нс
до 10 Вт при τ=100 пс
Типы корпусов: HHL, ТО-3, открытый теплоотвод
Наши контакты
Телефон, факс: +7 (812) 292-73-79
Никита Александрович Пихтин
Почта: nike@hpld.ioffe.ru
Никита Александрович Пихтин
Почта: nike@hpld.ioffe.ru
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
194021
Санкт-Петербург, улица Политехническая, дом 26
194021
Санкт-Петербург, улица Политехническая, дом 26
